essd卡量产工具-(SD卡量产工具)

从原理上看，QLC 的每个单元可储存 4 个数据，那就意味着与前三种闪存相比，QLC 闪存可以在同等的 die 面积上，存储更多的数据。拥有成本更低、容量更大、高密更高等特点，适合于读取密集型应用。

闪存和 SSD 领域知名市场研究公司 Forward Insights 创始人兼首席分析师 Gregory Wong 认为：“QLC 降低了 NAND 闪存单位字节（Byte）的成本，更适合作为大容量存储介质。与传统 HDD 相比，QLC SSD 更具性能优势。在企业级领域， QLC SSD 将为服务器和数据中心带来更低的读延迟，使其更适用于 AI 计算，机器学习，实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域，QLC 将率先在大容量 U 盘，闪存卡和 SSD 中普及。因此，QLC SSD 未来市场增量将非常可观。”

2018 年 7 月，长江存储首次发布了突破性能的 3D NAND 构架 Xtacking?。

根据长江存储的介绍，采用 Xtacking?可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元。这样的逻辑电路加工工艺，可以让 NAND 获取所期望的高 I/O 接口速度和功能。当两片晶圆各自完工后，创新的 Xtacking?技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属 VIA(垂直互联通道)将二者键合接通电路。

传统 3D NAND 架构中，外围电路约占芯片面积的 20~30%，降低了芯片的存储密度。随着 3D NAND 技术堆叠到 128 层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的 50%以上。Xtacking?技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统 3D NAND 更高的存储密度。

同时，Xtacking?技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短 20%，从而大幅缩短 3D NAND 产品的上市时间。

此外，这种模块化的方式也为引入 NAND 外围电路的创新功能以实现 NAND 闪存的定制化提供了可能。

知乎作者“猛练自然强”将其优势总结为：

在长江存储首次发布的 128 层 QLC 3D NAND 上，使用的全新升级的 Xtacking2.0 架构，X2-6070 在 1.2V Vccq 电压下实现了 1.6Gbps/ s 的数据传输速率，I/O 读写性能更强。

凭借 1.6Gb/s 高速读写性能和 1.33Tb 高容量，长江存储通过 X2-6070 再次向业界证明了 Xtacking 架构的前瞻性和成熟度，为今后 3D NAND 行业发展探索出一条切实可行的路径。

三星动态

NAND FLASH 行业的各家公司都在用尽浑身解数，来争夺这块数百亿美金的市场。行业老大三星也不敢怠慢，长江存储动态余温未尽之际，三星便传出新声。

据韩国媒体《ETnews》报道，三星目前正在开发具有 160 层堆栈的第 7 代 V-NAND 闪存，相关方面技术取得重大进展。三星的第 7 代 V-NAND 闪存将采用“双堆栈(double-stack)”技术来达到更多堆栈层，以此来扩大容量和使用范围。三星目前尚未公布 160 层的 3D 闪存的详细技术信息。

2019 年，三星以 166.7 亿美元的营收，成为全球 3D NAND Flash 闪存市场龙头，市占率达到 35.9%。考虑到三星占据了 NAND 闪存行业超过 1/3 的市场份额，160 层堆栈闪存若由三星成功首发，其将继续保持闪存技术上的优势，拉开与对手的差距。

行业发展史

厮杀数十年的存储器江湖，有人起来，有人倒下。

从最开始美国的独霸天下，到八十年代后日本存储行业腾飞，再到韩国公司依靠政府支持与时代机遇的崛起，扑灭其它人。

2008 年金融危机，存储价格雪崩。三星开始“反周期”战略，疯狂扩产下，德国奇梦达宣布破产，2011 年日本尔必达低价卖身美光 ...

存储行业重新洗牌，有人坚持，有人离去。熬过低潮期的存储大厂们，在 2015-2018 年新一轮的上行周期间赚的盆满钵满，甚至在 2017 年，三星营收水平超过半导体霸主英特尔，终结了半导体霸主英特尔连续 27 年行业第一的记录。

在如今 NAND 地盘上，三星、SK 海力士、美光、恺侠（原东芝存储）、西部数据、英特尔群雄割据。根据 DRAMe Xchange 数据，2019 年全球 NAND Flash 市场前五大厂商三星、铠侠、西部数据、SK 海力士和美光的市场份额合计占比达到 89.90％。数十年来，存储行业的厮杀像是一场轮回，十年河东，十年河西。

现在轮到中国杀了进来，在当前的国际局势下，长江存储和合肥长鑫们，担负起了振兴国产存储芯片的重任。预计 2021 年长江存储产能将占到 NAND Flash 整体市场的 8%

存储巨头进展

从 2019 年开始，业界几大主要玩家都陆续跨进了 100+层时代。

三星公司在 2019 年 6 月推出了第六代 V-NAND 100+层（128 层和 136 层各有说电脑法）TLC 3D NAND，8 月宣布基于该技术已批量生产 250GB SATA SSD，同年 11 月实现了第六代 512Gb TLC 3D NAND 的量产。

SK 海力士于 2019 年 6 月公开发布 128 层 4D TLC NAND，11 月向主要客户交付基于 128 层 1Tb TLC 4D NAND 的工程样品，包括 1TB UFS 3.1、2TB 客户端 cSSD、16TB 企业级 eSSD。2020 下半年都将大规模量产出货。近日，SK 海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。这也是全球首款在商用方案中应用 128 层堆叠 1Tb TLC 4D NAND 闪存颗粒。

铠侠在 2020 年 1 月宣布和西部数据携手研发出 3D BiCS FLASH 第 5 代产品，采用 112 层 3D NAND 技术。BiCS5 架构主要基于 TLC 和 QLC 技术，计划推出 112 层 1Tb（128GB）TLC 以及 1.33Tb QLC 产品，将在 2020 年下半年大规模生产。

美光早在 2019 年 10 月第一批第四代 3D NAND 芯片流片出样。在 2020 财年 Q2 财报上进一步透露，已在第一季度开始批量生产第四代 128 层 3D NAND，将在第三季度开始出货。预计 2021 年 3D NAND 将全面进入 100+层时代。

英特尔在过去十年中一直致力于该技术的研发。2018 年，英特尔 64 层 1024 Gb/ 裸片的 QLC 3D NAND 问世。2019 年，英特尔升级到 96 层，进一步提升了整体存储密度。2020 年，基于数据中心业务需求，英特尔将在大连厂推出 144 层 QLC 3D NAND。

长江存储 128 层 NAND 产品的电脑量产时间预计将在今年年底到 2021 年上半年之间，随着产能和良率的逐步提升，预计 2021 年将实现 10 万片 / 月的产能。在量产时间上，长江存储已没有明显落后。

依照目前的情况，128 层 3D NAND 已经开始大量进入企业存储市场。如果不能把握住技术升级带来的机会，就可能在新一轮市场竞争中掉队。

NAND Flash 行业动态与趋势

存储芯片价格存在周期性变化特点，NAND Flash 作为存储器的一种，价格自 2018 年初至 2019 年间处于降价周期。有数据统计，2019 年 NAND Flash 的价格平均跌幅达 46%，销售重挫 27%，导致主要供应商陷入亏损。

经过接近两年的降价，目前 NAND Flash 价格虽然仍相对处于低位，但从 2019 年末已逐渐开始有回暖趋势。此外，在疫情影响下，云端服务需求加速上升以及远程办公、远程教育，对笔记本电脑需求的急速上升，备货需求逐渐涌现，连带提升 NAND 存储需求。

据 Gartner 研究数据显示，在多因素持续发酵的影响下，2020 年存储市场规模预计将达到 1247 亿美元，呈增长态势。内存方面，由于从 2019 年开始持续短缺，以及晶圆厂的业务延迟和技术转型，NAND 闪存价格将不断提升，预计 NAND 闪存收入将在 2020 年增长 40%。

随着 NAND Flash 价格周期波动，主要的行业厂商针对需求变化调整产能。在上一轮降价周期中，各厂商纷纷暂缓了扩产计划。如今随着下行周期的结束，各厂家又重启投资计划。