tcl电脑bios设置时间设置时间-()

DRAM Row Refresh Cycle Time（tRFC）：行地址刷新周期，定义了一个bank中行地址 刷新所需要的时间。重提一下刷新的含义，由于cell中电容的电荷在MOSFET关闭之后一段时间就会失去，为了维持数据， 每隔很短一段时间就需要重新充电。这里多提一句，Intel平台和AMD平台对tRFC的含义不一样，AMD平台的tRFC是 DRAM刷新延迟时间，单位是ns，通常有90/110/160/300几个值可以调整，也就是说它的tRFC时钟周期会随着频率的提升 而提升；而Intel平台的单位则直接是时钟周期，相反地延迟时间会随着频率的提升而降低。容量大的bank行地址和cell会更 多，刷新时间也更长，因此tRFC也要更高。另外，tRFC如果太快会导致数据出错，太慢则影响性能，但可以增加稳定性。

DRAM Refresh Interval（tREFI）：内存刷新时间间隔，也就是内存的刷新命令生效前要经 过的时间。刷新的时间间隔一般取决于内存颗粒的容量（density），容量越大，就越需要频繁刷新，tREFI值就要越低。另 外 tREFI的时间也会受到内存工作温度与内存电压（Vdimm）影响，因为温度越高电容漏电越快。一般在AMD主板的BIOS 里，这个值只有3.9us和 7.8us可选，而在SNB平台，则是按时钟周期算，例如DDR3-1333下默认值为5199T，换算过来就 是 2000/1333x5199=7800ns，也就是7.8us。一般DRAM颗粒的spec中都是规定工作温度大于85度时采用3.9us。

DRAM RAS to RAS Delay（tRRD）：行地址间延迟，定义的是同一rank不同bank间两个 连续激活命令的最短延迟，在DDR3时代一般最小是4T。它的作用和CR有点像，不过比CR更多的时候对性能有较大的影响 ，所以这个时序可尽量缩小。

DRAM Write Recovery Time（tWR）：内存写入恢复时间，它定义了内存从写入命令发出 （从开始写入算起）到下一次预充电间隔的时间，也就是tRP的前一个操作。如果这个时间设得太短，可能会导致前一次写 入未完成就开始下一次预充电，进行寻址，那么前一次写入的数据就会不完整，造成丢数据的情况。这个周期也是第二时序 中比较长的，DDR3-2000一般需要10-14个周期，甚至更高。

DRAM Read to Precharge Time（tRTP）：与tWR类似，定义了同一rank上内存从读取命 令发出到tRP之前的间隔时间，但是它在读取完成并且行地址关闭之后才会生效。单颗128MB的内存颗粒可以在DDR3- 2000下运行在4到6个时钟周期，如果bank容量增大时，这个时序有可能要放宽。

DRAM Four Active Window（tFAW）：它定义了同一rank中允许同时发送大于四个行激 活命令的间隔时间，因此最小值应该不小于tRRD的四倍。在DDR3上，tRRD的最小值是4T，因此tFAW的最小值就是16T。 这个 tFAW由于是在一个rank中大于四个bank同时激活之后才生效，因此在内存不是很繁忙的时候，它对性能的影响并不 是很大。但是对一些频繁读写内存的操作（例如SuperPI 32M），tFAW对性能的影响可能会加大。由于现在内存用满的几 率非常非常小，两根双面的内存更是有4个rank，配合上interleaving，一个rank中同时激活大于四个bank的几率应该不大 ，所以通常我们把它设为tRRD的四倍应该就不会出问题。

DRAM Write to Read Delay（tWTR）：内存写-读延迟，它定义的是内存写入命令发出后 到下一个读取命令之间的时间间隔，最小为4T，与tRTP类似，提升内存的频率或者容量提升时，这个值需要提高。

结语

看完以上内容，我们已经对时序有了个大致的了解，现在应该可以知道一些时序设置时要注意什么了。比如tFAW 要设为 tRRD的四倍，tRAS不能设太低等等。还是那句话，内存是辅助CPU超频的，时序设置只是为了放开内存更多的超频 空间，时序本身对性能的影响很小，并且随着频率的提升，或者bank数的增加，这种影响可能会进一步减小。具体不同的 内存颗粒也会有不同的设置情况。

台式机【DDR4 2666 8G】平民条。不会折腾的，不想折腾的，那就折腾下容量吧。